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AIDC带来新机遇 三星电子或重启SiC代工业务_城市资讯网

装配良率与长期可靠性。SiC有望以热扩散层、热承载层、结构支撑层渐进导入CoWoS,充分发挥材料优势并降低工艺适配难度。 国投证券指出,AI机柜功率密度持续飙升,传统低压供电已达物理极限,800V HVDC高压直流架构是下一代AI数据中心的必然选择。随着AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升,对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求,SiC功率器件在高压高频场景下具备更强适配性,需求有望随800
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8年开始量产SiC。 据此前报道,三星已投资约1000亿至2000亿韩元用于先进工艺设备,包括来自Aixtron的MOCVD系统,以支持SiC和GaN晶圆的加工。业内人士表示:“此前暂停的SiC代工业务已正式重启。”他补充道:“我们已开始着手将其打造为三星电子新的增长引擎。” 事实上,早在2023年,三星电子便已着手为SiC业务做准备。由于当时市场对8英寸硅晶圆代工产能的需求逐步走弱,公司为确
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